氧化物半导体

全球首个六层堆叠CMOS,来了

沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)的研究团队在芯片设计领域创下纪录,成功实现了全球首个六层堆叠式混合CMOS(互补金属氧化物半导体)结构,用于大面积电子器件。此前,全球尚未有混合CMOS超过两层堆叠的报道。这一成果不仅刷新了集成密度与能效的新标杆,也

cmos 氧化物半导体 cmos芯片 希尼 堆叠cmos 2025-10-19 11:41  3